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半導体のイオン注入についてですが、 打込みエネルギーと打込み深さの相関グラフで...
ID非公開さん
半導体のイオン注入についてですが、
打込みエネルギーと打込み深さの相関グラフで
打込み対象Si基板で打込みイオンがボロンです。
横軸が Energy［keV］
縦軸が Rp、dRp［μm］
となっています。
Rpは Range Projection：射出 範囲ですが
dRpが何の略かわかりません。
詳しい人教えて下さい。
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- 質問日時：
- 2004/7/13 16:58:25
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- 解決日時：
- 2004/7/14 08:47:11
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ベストアンサーに選ばれた回答
ID非公開さん
dは「デルタ」、つまりdRpはRpの変化量じゃない？
もしそうなら単位は[μm/keV]とか[μm/eV]になっちゃうけど・・
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- 回答日時：2004/7/13 18:10:59
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