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半導体超格子の構造的特徴と伝導機構についてどなたかわかる方ご教授ください。

gonji_95nenseさん

半導体超格子の構造的特徴と伝導機構についてどなたかわかる方ご教授ください。

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daisy_peach_daisyさん

どのレベルの回答を希望しているのかが分からないので外しているかもしれませんが・・実際のデバイスを例に説明します。

半導体超格子を利用したデバイスで有名なものはHEMT(HJFET)とHBTの2つです。
両者ともウェハー上にいくつかの半導体のレイヤを積み重ねたエピ基板を加工して作成したものです。
よく半導体の超格子の問題で「井戸型ポテンシャル」の考えがでてきますが、これを利用しているのがHEMTに当たります。

通常移動度は不純物散乱を受けるので、ドーピング濃度が高いと低下し、電子濃度はドーピング濃度が低いと低下するものを、AlGaAsとアンドープGaAs(最近ではInGaAs)のようにバンドギャップの異なるものを接合し、GaAs側の伝導帯をフェルミレベルの下に持っていくことで、電子濃度と移動度の両立を図っています。そして、一番問題になるのは、ドレインやソース端子におけるコンタクトへの伝導です。上部から電極を取ろうとすると、先ほどのAlGaAsが障壁になり古典論的には高抵抗となってしまうのですが、これは、AlGaAs層の厚さを薄くすることでトンネル電流を流し、低抵抗でのコンタクトをとります。

他にも格子不整合とか色々ネタはあるのですが、どの付近の情報が欲しいかが分からないので;;

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