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NPN型でエミッタ接地のトランジスタにおいて、エミッタ-ベース間の電圧Vbeを横軸に...

tus********さん

2019/6/1120:51:24

NPN型でエミッタ接地のトランジスタにおいて、エミッタ-ベース間の電圧Vbeを横軸にとり、縦軸にコレクタ電流Icとした図を描くと、Vbeが一定値になるまではIcにはほとんど電流が流れず、

Vbeが一定値を超えたところからIcが指数関数的に大きくなる図を見たのですが、この理由を教えてください。

NPN接合をした時点で二か所に空乏層ができていると思います。
順方向バイアスによって空乏層を小さくしていく過程が関係していると考えているのですが、どうなのでしょうか?

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ベストアンサーに選ばれた回答

efk********さん

2019/6/1201:08:00

これは、ショックレイの理論です。
Ic=I0(exp(Vbe/kT)-1)
となります。
下の本のに書かれています。
簡単ではありません。

これは、ショックレイの理論です。
Ic=I0(exp(Vbe/kT)-1)
となります。...

質問した人からのコメント

2019/6/16 10:46:59

皆様、回答ありがとうございました。
もう少し勉強してみます。

ベストアンサー以外の回答

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pet********さん

2019/6/1200:06:10

電流はPN接合にいるキャリアの電荷量に依存するんよ。バイアスがないときPN接合は空乏層でキャリアはいないけど、バイアスを印加するとキャリアがバンドギャップを越えてキャリアが増える。このときの電荷量がフェルミ分布になり、フェルミ分布は指数関数なので、電流も指数関数になるというわけよ。さらなる疑問は神様に聞いとくれ。

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