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半導体RCA洗浄について RCA洗浄のSC1液について質問です。

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ID非公開さん

2016/2/1512:00:02

半導体RCA洗浄について

RCA洗浄のSC1液について質問です。

SC1洗浄では、過酸化水素で表面を酸化し、アンモニアで酸化膜をエッチングすることで表面の汚れを取り除くという理解であっていますでしょうか。

ネットを見ると、過酸化水素とアンモニアは1:1か、アンモニアが少なめの割合となっていますが、この理由はなぜでしょうか。
直感的には、1:1で混ぜた場合、液が中和してしまい、試料表面を酸化エッチングすることが本当に出来るのか?と思ってしまいます。

また、SC1洗浄は加熱プロセスですが、なぜ加熱するのでしょうか。そしてなぜ80℃前後の温度なのでしょうか。

よろしくお願いします。

閲覧数:
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回答数:
1

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ベストアンサーに選ばれた回答

2016/2/1513:25:37

SC-1基板のパーティクル除去が目的だな
>>
SC1洗浄では、過酸化水素で表面を酸化し、アンモニアで酸化膜をエッチングすることで表面の汚れを取り除くという理解であっていますでしょうか。
<<
あっている。
基板表面に付着したパーティクルを、
基板表面を酸化させてその酸化膜ごとリフトオフさせるわけだな
もっと言うと、この処理では、
基板とパーティクルのζ-ポテンシャルの符号が同じなので
パーティクルの再付着も防がれるってことが重要だな

>>直感的には、1:1で混ぜた場合、液が中和してしまい
過酸化水素は酸ではないよ
ここでは、酸化剤

温度に関しては知らない
というか、標準プロセス以外であまりやらないからなぁ
過熱するのは、多分反応時間の問題かね
80度でもウェハーを10分は浸漬させるからなぁ
まぁ温度が高くなると反応性も上がり、反応の速度も速くなるな

それより高温でやらないのは
アンモニアも過酸化水素も揮発するからだろうな

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    質問者

    ID非公開さん

    2016/2/1723:23:09

    分かりやすい回答ありがとうございます。

    過酸化水素は弱酸じゃなかったでしたっけ?;;

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