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プッシュプル・エミッタ・フォロアの回路について教えて下さい。

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ID非公開さん

2008/9/2911:25:19

プッシュプル・エミッタ・フォロアの回路について教えて下さい。

プッシュプル・エミッタ・フォロアの回路について今勉強しています。スイッチングひずみを改善するため、2つのトランジスタのベースにダイオードでオフセットをかけ、トランジスタの不感帯を取り除く、ということが参考書に書かれておりますが、なぜダイオードでオフセットをかけるとトランジスタの不感帯が取り除けるのか、なぜそれでスイッチングひずみが改善できるのか、本当にさっぱり分からなくて困っております。プッシュプル・エミッタ・フォロアの回路について、分かりやすく教えていただけないでしょうか?

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kieros2005さん

2008/9/2911:52:55

図がないと説明しにくいのですが、NPNとPNPのプッシュプルのトランジスタがあるとすると、それぞれVbeは0.6Vづつありますから上下で1,2Vの電位差がないと両トランジスタはON出来ません。トランジスタを稼動状態にするにはVbeを0.6V+0.6V=1.2V必要だと言うことはわかりますよね。
そこで、このベース間電圧を与える方式として抵抗でも良いのですが、ダイオードは順電圧がちょうど0.6Vなのでこれを二つ直列にすれば1.2Vが得られます。そしてダイオードに適当な電流を流しておけば、常に1.2Vの電位差を両トランジスタにかけることが出来ます。不感帯を除くというのは、稼動状態(ON状態)を維持すると言うことです。これをしないと波形の上下の境目で不感帯ができ、増幅機能が失われる部分が歪みになります。スイッチング歪ではなくクロスオーバーひずみと言います。このためトランジスタにバイアス電圧を掛けてONさせておき、コレクタに流す電流アイドル電流を流すと言います。数mAから数十mAを流します。

なおこうしておいても深い逆バイアスが掛かるとき、片方のトランジスタはONしていますが、反対側はOFFしてしまいます。トランジスタは一旦OFFにするとONにするのに時間がかかり、高周波のときにON-OFF動作が間に合わなくなります、このひずみのことをスイッチングひずみと言います。これはアイドル電流を流すだけでは解決できません。逆バイアスが最大波形までOFFしないようにアイドル電流を流すことをA級動作といいます。効率が悪くなりますがスイッチング歪みはありません。また少し回路が複雑になりますが、波形に応じてアイドル電流を変化追随させてトランジスタをOFFしないような駆動方式もあります。

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elg********さん

2008/9/2911:55:36

出力にダイオードを上下に着けて、その先を抵抗で各々±につなぐってやつですね。
出力段のトランジスタ上のNPNトランジスタのベース電圧がダイオードのVf分上がる。
これはベースの不感帯分です。
同じように下のPNPトランジスタもベース電位がVf分落ちます。
すなわちこうすることでプッシュブルトランジスタの不感帯を無くします。
OPAMPのパワーブースト回路でおなじみです。

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