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IGBTなどのスイッチング素子の耐圧についての質問です。

ilo********さん

2019/10/2515:00:03

IGBTなどのスイッチング素子の耐圧についての質問です。

現在5〜10kV程度のDCをスイッチング素子によって制御したいと考えています(制御の周波数は10kHz程度)。トランジスタ、FET、IGBT、サイリスタなどのスイッチング素子の中ではIGBTが一番高周波高電圧に向いていると思い探してみましたが、耐圧6.4kVのものなどが見つかったものの全長が110mmもあり、自分が思っていたふつうの半田付けできるような素子のサイズではありませんでした。

5〜10kV程度のDVをスイッチングできる小型のIGBTはありますでしょうか?または他の素子や手法でも良いのですが、実現する手法はありますでしょうか?
どうぞよろしくお願いいたします。

※電力は30Wほどなので、出力電流は高くありません。

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ベストアンサーに選ばれた回答

m_o********さん

2019/10/2616:53:39

IGBTは大電流用放熱器直付け素子なので、ご要望の用途には向きません。

小型素子をお望みならば、ブラウン管水平偏向用高耐圧トランジスタが適すると思われます。

耐圧は、供給電圧の3倍以上として下さい。

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