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2022/5/9 23:12

22回答

電子回路で質問です。

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工学230閲覧

回答(2件)

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❤図を添付したよ!

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ご質問を拝読しました。 発振回路内臓ブザーであるUDB-05LFPN(動作電流30mA)のON/OFFを、2SC3324をスイッチングトランジスタとして使って駆動させる場合の回路ですね。スイッチング動作の場合は飽和領域で動作させますので、それほど難しく考える必要はありません。 2SC3324のデータシートはこちらを見てます。 https://akizukidenshi.com/download/ds/Toshiba/2SC3324.pdf 直流電流増幅率hFEは、200~700です。30mAをhFEの最小値の200で割って、30mA / 200 = 150μAのベース電流が必要です。(1) シリコンダイオードですのでVBEは約0.6Vです。R2の役割ですが、ベースエミッタ間の浮遊容量に蓄積した電荷を素早く放電させるためであり、通常は2kΩぐらいを接続しておきます。これでスイッチングトランジスタのON→OFFが高速化されます。R1の左から電圧が印加されている場合はVBEは約0.6Vですので、R2には 0.6V / 2kΩ = 300μAが最大で流れます。(2) (1)と(2)を足すと450μAです。R1の左から印加する電圧は3.3Vとすると R1の値は (3.3-0.6) / 450μA = 6kΩとなります。OFF→ONの遷移を高速化するために、実際には、このようなギリギリの値を用いずに 少し小さめの値を設定します。R1の値は3.3kΩ~4.7kΩぐらいがいいでしょう。 Q. hFEは? A. hFEは、上記のPDFの2ページ目の電気的特性の表に書かれています。 Q. VCE=6Vの測定条件 A. 気にする必要はありません。VCEが変化してもIC-VBE特性はそれほど変化しません。VCE=6Vというのはグラフ描画するための代表条件であるだけです。PDFの3ページ目の右のグラフの通り、IC=30mA、気温25度の場合のVBEは約0.67Vです。実際には、安全サイドの設計をするために、VBE=0.6Vと低めに考えることが多いです。

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すみません。回答漏れです。 Q. vce=6Vとはどのことを指すのでしょうか? A. トランジスタのコレクタとエミッタの間に印加する電圧です。ご質問者さんの回路では電源電圧が5Vですので6Vがかかることはありません。しかし、上記の通り、VCE=5V以下でもIC-VBE特性はそれほど変わらないので、データシート掲載の表を参照しても大丈夫です。