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高周波回路素子の挿入損失と反射損失について ・高周波素子について質問があり...

tmt********さん

2015/12/1721:13:38

高周波回路素子の挿入損失と反射損失について

・高周波素子について質問があります。

ある高周波素子(MSL-同軸変換器、入出力ポートが一つづつ)の諸元に「挿入損失(0.5dB)」と「反射損失(10dB)」が別々に記載されていました。
私は挿入損失=入力電力-出力電力=導損+放射損+反射損と考えていたのですが、そうであれば別々に記載する意図がよくわかりません。

これは、
挿入損失=導損+放射損=|10log(1-|S21|^2)|としてS21をもとめ、
反射損失=不整合損として、反射損失(dB)→-反射損失(dB)→真値(0.●●)、1-真値=S11をもとめ、
実際の回路での損失については、
・実際の挿入損失=10log{1-|S11|^2-|S21|^2}と考えるべきなのでしょうか。
・それとも記載されている挿入損失(0.5dB)のみで考えればいいのでしょうか。

素子の形状が特殊でロード等が接続できず実験で確かめることが難しい状況なので、
なんとかカタログスペックで校正を行いたいと考えています。

記載の挿入損でいいのか、それとも計算が必要なのか、
またSパラメーターの考え方の間違い等について、ご教授ください。

よろしくお願いします。

補足正確な記載は、

Return loss
≧12dB, ○○GHz~△△GHz
≧10dB, △△GHz~□□GHz
≧8dB, □□GHz~☆☆GHz

Insertion loss ≦◎*f(MHz)dB

※○、△、□、◎には数字が入ります。
使用する周波数は△△~□□の間の周波数です。

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mat********さん

2015/12/1722:55:32

挿入損と反射が別に書いてあることには意味があります。
反射が10dBということは、素ではほとんど反射されるぐらい
S11がマッチしていない、入力整合回路が必要で、
うまくすれば整合が取れるということです。
挿入損失については回路内でロスになり熱が発生する、
放熱について考慮しなければならない?ということです。
素子そのままでS21は-10.5dBだが熱になるのは0.5dB分、
10dB分は入力側に反射するということです。

  • 質問者

    tmt********さん

    2015/12/1810:30:12

    ご回答ありがとうございます。
    S21が-10.5dBということは、入力が1wとした場合、出力は89mWということでしょうか。
    変換器として非常に低性能なのですね・・・

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