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npnトランジスタでn(x)はベースの電子密度n(0)はエミッタベース接合の空乏層端にお...

chi********さん

2015/4/2003:02:29

npnトランジスタでn(x)はベースの電子密度n(0)はエミッタベース接合の空乏層端における値とし
p(x)はエミッタにおけるホール濃度としp(0)をエミッタベース接合空乏層端における値とする。

ベース層幅=Wb エミッタ層幅=Weとしベースエミッタ領域ともに少数キャリアの再結合を無視できると考えベース、エミッタr領域の少数キャリア拡散定数をDn,Dpとしたときのエミッタ、ベース、コレクタ(Ie,Ib,Ic)の電流を求めたいのですが.
まずベースエミッタ接合部の電子電流およびホール電流を求めてそれらを足すことにより
Ie=q(Dn)n(0)/Wb+q(Dp)p(0)/Weとして求まりました。次にベースでの少数キャリア再結合を無視できるので先ほどの電子濃度から
Ic=q(Dn)n(0)/Wbとなりました。Ibを求めるにはキルヒホッフの法則よりIb=Ie-Icから求まると考えたのですがこの一連の解き方はあっているのでしょうか?

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2015/4/2005:59:47

>Ie=q(Dn)n(0)/Wb+q(Dp)p(0)/We
ではなく、
Ie=q(Dn)n(0)/Wb+q(Dp)dp(0)/dx
では?
ベース内での少数キャリアの流れは、B-E境界でのnの座標微分をn(0)/Wbで近似できますが、E内でのpでは微分を使わなければいけません。

>Ie=q(Dn)n(0)/Wb+q(Dp)p(0)/We
ではなく、...

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