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トランジスタについてです。 静特図に VceとIcのグラフが2個あるのですが 、なぜ...

tom********さん

2019/6/2621:45:18

トランジスタについてです。
静特図に VceとIcのグラフが2個あるのですが 、なぜですか。

トランジスタ,Ic-Vce特性,グラフ,静特図,Vce,飽和領域,ベース電流

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ベストアンサーに選ばれた回答

2019/6/2804:08:11

2つのグラフは横軸と縦軸のスケールが違うだけで同じ特性を表わしたものですが使い道が違います。

横軸のVceの数値が小さく、縦軸のIcの数値が大きいほうのグラフは、Ic-Vce特性の飽和領域付近を拡大したもので、そのトランジスタをスイッチング素子として使うときに、ベース電流をどれくらい流せばいいかを見積もるために使います。

下図の(1)がその特性ですが、コレクタ電流を50mAとしたときのVce(飽和電圧)を0.5V以下にしたい場合はベース電流を0.4mA以上、飽和電圧を0.2V以下にしたい場合はベース電流を1mA以上流す必要があることが分かります。

コレクタ電流/ベース電流が直流電流増幅率ですが、飽和領域では直流電流増幅率hFEが小さくなります。Ib=0.4mA のときは hFE=125 ですが、Ib=1mA のときは hFE=50 となります。飽和領域の hFE はデータシートに書かれていないことがあるので、飽和領域で使う場合はこの部分の特性が必要になってきます。

一方、横軸のVceの数値が大きく、縦軸のIcの数値が小さいほうのグラフは、Ic-Vce特性の能動領域を表わしたものです。そのトランジスタをエミッタ接地増幅回路として使うときの動作点の計算などに使います。

下図の(2)がその特性ですが、コレクタ抵抗を3.3kΩにしたときの負荷線(緑色)をグラフに重ねて描いて、Ic-Vce特性と負荷線との交点のVceが電源電圧の半分になるところを動作点とします。そのためには Ib=22μA くらいにすればいいことが分かります。

2つのグラフは横軸と縦軸のスケールが違うだけで同じ特性を表わしたものですが使い道が違います。...

質問した人からのコメント

2019/6/28 06:18:06

ありがとうございます

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