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MOSFETを用いた無安定マルチバイブレータ

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t06********さん

2010/1/2219:55:44

MOSFETを用いた無安定マルチバイブレータ

大学４年の男です。
私は卒業研究としてパルス生成回路について研究しています。

今回は「MOSFETを用いた無安定マルチバイブレータ」について考えています。

無安定マルチバイブレータのトランジスタはバイポーラを使うことが多いですが、
私は下の画像のように、MOSFETを用いています。

バイポーラの場合、ベース電流が流れるのとは違い、
MOSFETの場合、ゲート電流が流れないので、
ドレイン電流（ソース電流と値が一緒）IDと、ゲート・ソース間電圧VGSと、
ドレイン・ソース間電圧VDSのそれぞれの値が影響するのはわかります。

ただ、MOSFETで無安定マルチバイブレータのシミュレーションを行った場合、
バイポーラを用いた無安定マルチバイブレータのような波形が出ません。

MOSFETを用いて無安定マルチバイブレータの波形を実現し、
また動作できるようにするにはどのようにすればよろしいでしょうか？

もしくは、無安定マルチバイブレータのトランジスタにMOSFETを使うこと自体
間違ったことなのでしょうか？

僕に力を貸してください。

補足コンデンサを無くした状態だと、
デューティー比はどうなるのでしょうか？

無安定マルチバイブレータ,バイポーラ,MOSFET,トランジスタ,ドレーン,コンデンサ,バイポーラトランジスタ

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wal********さん

2010/1/2400:23:12

ゲート電流が流れないので、コンデンサは充電しっぱなしになって発振しません。
G-S間に抵抗を入れて、コンデンサを外した状態でVgsがスレシホールド電圧付近になるようにしたら動くかも…。
あと、コンデンサは無極性のものを使う必要があるかも。
（バイポーラトランジスタでも本当は無極性コンデンサを使うべき。一般的には有極性で黙認されてるけど。）

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